
Flash
120k
SRAM
8k
ADC ENOB
19.5bits@15.2sps
Gain=128
Gain=128
LCD
4*34段
通讯口
1个 UART、1个 I?C、1个SPI
本芯片是带有 LCD 驱动和 24 位高精度ADC 的 32 位 MCU 的 SOC 产物,提供 120KBFlash 空间用于存储用户法式。
本芯片为 32 位的系统芯片,可以字节、半字(16 位)、全字(32 位)会见,系统时钟上电默以为 12MHz,可通过寄存器设置选择差异的时钟作为系统时钟,最高可设置为 24MHz。
本芯片提供四种事情模式,让用户可以在事情效率和能量消耗方面获得最佳选择,四种模式划分是:正常事情模式、待机(WAIT)模式、休眠(DOZE)模式和深度休眠(STOP)模式。
高精度 ADC, ENOB = 18.6bits@8sps (Gain= 256), 4 个差分通道或者 8 个单端通道
低噪声高输入阻抗前置放大器, 1、 4、 8、16、 32、 64、 128 和 256 倍增益可。 带offset 校正功效
内置 12 位 SAR ADC, 带自校准功效,采样时间及事情模式可选
32 位 MCU(24MHz max), 120k BytesFLASH, 8k Bytes Boot, 8k Bytes SRAM
内置高频 RC 振荡器, 24MHz, 校准后精度可达±1%
内置低频 RC 振荡器, 32kHz
可支持高频晶体振荡器, 8~24MHz
支持低频晶体振荡器, 32.768kHz
带 RTC ?椋 可以盘算年、月、星期、日、时、分和秒,可以自动举行闰年盘算
带 LCD 驱动?, 最多可支持 44SEG*4COM、 43SEG *5COM、 42SEG * 6COM 和 40SEG * 8COM 四种驱动模式; 具有超低功耗和大驱动能力设计,内含程控升压 ?,可以在低压条件下维持高亮显示;驱动电压可。 2.7~5.2V
内置传感器激励输出,输出电压可。2.4~4.5V,步长为 0.3V
内置开短路探测电流(Burnout Detect Current Source)
可输出 1.2V 的基准
内置正弦波发生器,输出频率可。5kHz、 50kHz、 100kHz 和 200kHz,支持八 电极BIA 测脂
内置两个运算放大器 OPA 和 OPB
内置低压检测电路, 包罗一个 8 bits DAC和一个 rail to rail 输入的较量器,以实现 无邪的电池检测和触摸按键检测等功效。 电压检测规模 2.0~5.3V
内置硅温度传感器,可以单点校正,支持自动正反测
内置最多 2 路 UART 通讯接口,待机时RXD0/RXD1 下降沿自动叫醒 MCU
内置 1 路 I2C 通讯接口
内置 1 路 SPI 通讯接口
内置 2 路自力的 16 位 PWM/PDM 输出
内置 1 路捕捉输入口 CCP
内置 16bits Timer0/1/2,用于准时中止等
内置蜂鸣器输出驱动,驱动的时钟和频率可设置
2 个外部中止, INT1~0
7 个按键中止, KEY6~0
所有数字输入口都带施密特触发输入, 可选择是否使用上拉电阻,上拉电阻阻值为50kΩ
事情电压规模: 2.4~5.5V
事情温度规模: -40~85℃
